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光电元件 W4NXD8D-0000的资料参数

封装 :

品牌 : Cree

脚位 :

功能描述 :
Diameter 50.8mm; standatd mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度 : Min °C | Max °C

W4NXD8D-0000 PDF


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