光电元件 W4NXD8D-S000的资料参数

封装 :

品牌 : Cree

脚位 :

功能描述 :
Diameter 50.8mm; select mircopipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

温度 : Min °C | Max °C

W4NXD8D-S000 PDF