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封装 :
品牌 : Cree
脚位 :
功能描述 : Diameter 50.8mm; semi-insulating; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition
温度 : Min °C | Max °C
W4TRD8R-0D00 PDF